在廣東半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)沖刺 “中國(guó)集成電路第三極" 的進(jìn)程中，測(cè)試設(shè)備的控溫精度直接決定芯片研發(fā)與量產(chǎn)的成敗。廣東快速溫變?cè)囼?yàn)箱作為核心測(cè)試裝備，其 ±0.1℃與 ±0.5℃的控溫精度差異，對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)的測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生影響，成為區(qū)分測(cè)試與基礎(chǔ)測(cè)試的關(guān)鍵標(biāo)尺。

在可靠性測(cè)試環(huán)節(jié)，差異影響更為顯著。按照半導(dǎo)體行業(yè)通行標(biāo)準(zhǔn)，芯片需通過 - 55℃~125℃的 1000 次溫度循環(huán)測(cè)試。采用 ±0.5℃精度設(shè)備時(shí)，實(shí)際溫度波動(dòng)可能達(dá)到 ±1℃，導(dǎo)致 30% 的早期失效隱患被掩蓋。廣州某 SiC 企業(yè)的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，改用廣皓天 ±0.1℃精度的廣東快速溫變?cè)囼?yàn)箱后，芯片失效檢測(cè)率從 72% 提升至 99%，與國(guó)際企業(yè)測(cè)試水平持平。

廣東快速溫變?cè)囼?yàn)箱的高精度優(yōu)勢(shì)，更契合國(guó)際測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。在符合 JEDEC 嚴(yán)苛規(guī)范的可靠性測(cè)試中，±0.1℃精度設(shè)備生成的數(shù)據(jù)可直接用于國(guó)際認(rèn)證，而 ±0.5℃精度設(shè)備的數(shù)據(jù)需進(jìn)行二次校準(zhǔn)，使測(cè)試周期延長(zhǎng) 40%。這對(duì)積極開拓海外市場(chǎng)的廣東半導(dǎo)體企業(yè)而言，意味著顯著的時(shí)間與成本優(yōu)勢(shì)。