使器件核心區(qū)域溫變速率與設(shè)定值偏差≤0.5℃/min，精準復現(xiàn)芯片在高低溫沖擊下的工作狀態(tài)。
快速溫度變化試驗箱半導體器件

型號：TEB-600PF

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更新時間：2025-08-08

價格：32000

詳細介紹

品牌	廣皓天	產(chǎn)地	國產(chǎn)
溫度波動范圍	士0,3'C(-20~+100'C)±0.5C(+100.1~+150C)+2.5%RH	外殼材料	防銹處理冷軋鋼板士2688粉體涂裝或SUS304不銹鋼
絕緣材料	硬質(zhì)聚氨酯泡沫塑料(箱體用)玻璃棉(箱門用)	制冷方式	機械式雙級壓縮制冷方式(氣冷冷凝器或水冷換熱器)

生產(chǎn)廠家廣東皓天檢測儀器有限公司擁有專業(yè)的生產(chǎn)研發(fā)技術(shù)，一站式周到服務。作為一家專注于試驗設(shè)備產(chǎn)品的大型儀器制造商，皓天設(shè)備致力于為消費者提供技術(shù)、品質(zhì)的優(yōu)秀產(chǎn)品。

快速溫度變化試驗箱半導體器件

工作原理

采用微環(huán)境精準控溫技術(shù)，通過三級復疊式制冷系統(tǒng)與納米薄膜加熱組件協(xié)同作用，構(gòu)建半導體器件測試所需的極速溫變環(huán)境。制冷端以 R170/R23 混合冷媒實現(xiàn) - 80℃深冷輸出，加熱端采用石墨烯涂層加熱片，熱響應速度提升至 0.1 秒級。設(shè)備內(nèi)置半導體專用夾具，通過熱電偶與器件 Pin 腳直接接觸，實時傳導溫度變化，配合 3D 擾流風道，使器件核心區(qū)域溫變速率與設(shè)定值偏差≤0.5℃/min，精準復現(xiàn)芯片在高低溫沖擊下的工作狀態(tài)。

快速溫度變化試驗箱半導體器件

快速溫度變化試驗箱半導體器件

產(chǎn)品優(yōu)勢

針對半導體器件體積小、熱容量低的特點，設(shè)計最小 10L 微測試腔體，溫場均勻性達 ±0.8℃，避免傳統(tǒng)大腔體的溫度滯后問題。具備 ESD 防靜電設(shè)計（接地電阻≤1Ω），可直接測試未封裝晶圓，防止靜電擊穿 MOS 管等敏感元件。支持與半導體參數(shù)分析儀聯(lián)動，在溫變過程中同步采集 IV 曲線、閾值電壓等關(guān)鍵參數(shù)，測試效率較分步測試提升 50%。

產(chǎn)品性能

在 - 60℃至 150℃溫區(qū)范圍內(nèi)，連續(xù) 1000 次循環(huán)測試后，器件接觸區(qū)域溫度偏差≤±0.3℃。溫變速率可達 20℃/min，從 - 55℃升至 125℃僅需 9 分鐘，且在速率 10℃/min 時，過沖量控制在 ±1℃以內(nèi)。搭載 16 通道信號隔離采集模塊，可同時監(jiān)測 8 顆芯片的工作狀態(tài)，數(shù)據(jù)采樣率達 1MHz，確保捕捉瞬態(tài)溫度變化對器件性能的影響。

快速溫度變化試驗箱半導體器件

產(chǎn)品核心

核心在于 “溫度 - 電性能" 同步測試系統(tǒng)，由高精度鉑電阻傳感器（精度 0.01℃）、高速數(shù)據(jù)采集卡（12 位 AD 轉(zhuǎn)換）和 FPGA 實時控制器組成閉環(huán)控制網(wǎng)絡。設(shè)備內(nèi)置 100 組半導體行業(yè)標準測試程序，涵蓋 JEDEC JESD22-A104G 等規(guī)范要求，可直接調(diào)用進行芯片高低溫循環(huán)、溫度循環(huán)耐久性等測試，核心控制算法響應時間≤1ms。

快速溫度變化試驗箱半導體器件

溫度控制系統(tǒng)

采用雙 PID + 模型預測控制算法，針對半導體 PN 結(jié)溫度特性建立專屬數(shù)學模型，提前 5 秒預判溫變趨勢。制冷系統(tǒng)配備磁懸浮變頻壓縮機，通過 20kHz 高頻調(diào)節(jié)冷媒流量；加熱系統(tǒng)采用脈沖寬度調(diào)制技術(shù)，最小調(diào)節(jié)精度達 1W。系統(tǒng)支持 - 80℃~200℃超寬溫域控制，在 - 55℃~125℃測試區(qū)間內(nèi)，控溫精度達 ±0.2℃，滿足車規(guī)級芯片 AEC-Q100 標準的嚴苛要求。此外，內(nèi)置露點監(jiān)測模塊，當腔體內(nèi)濕度＞30% RH 時自動啟動干燥功能，防止水汽凝結(jié)導致器件短路。